| 主 催： | 日本金属学会・日本鉄鋼協会 東海支部 |
| 共 催： | 名古屋大学材料バックキャストテクノロジー研究センター |
| 日 時： | 平成22年12月3日（金）午後2時～3時30分 |
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| 講 師： | 京都大学大学院エネルギー科学研究科客員教授，東北大学名誉教授 中嶋一雄 氏 |
| 講演題目： | 高品質Si多結晶インゴットの成長 - デンドライト結晶の配列と粒界密度の制御 - |
| 講演要旨： | 多結晶Siは太陽電池をはじめとする様々な用途に向け高品質化が望まれている．これまで，単結晶Siに匹敵する品質でしかも生産性の高い多結晶Siインゴットの創製を目指して，ルツボ底面に沿って配列を制御したデンドライト結晶を利用した高品質多結晶Siの開発を行ってきた，その結果，大粒径で方位が揃い整合性の高い粒界を有し，太陽電池変換効率が17.7 % (15.6 x 15.6 cm) と 18.2 % (10 x 10 cm)という，同じプロセスを使った単結晶Siの効率に近い高品質多結晶Siの開発に成功した．本講演では，これらの成果に加えて，独自の高温加圧加工法を用いてX線の点集光が可能なSiやGe結晶レンズの開発に取り組んだ成果についても述べる． |
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| 参加費 | 無料 |
| 申込方法： | 当日受付 |
| 問合先： | 東海支部 長谷川 正（名古屋大学マテリアル理工学専攻）
TEL：052-789-3370, E-mail ：hasegawa@numse.nagoya-u.ac.jp |
| 交通案内： | 名古屋市地下鉄名城線「名古屋大学」駅下車，3番出口徒歩5分（赤崎記念研究館隣り） |
