| 会 期: | 2009年11月18日(水)～19日(木) | | 会 場: | 東北大学片平さくらホール | | 主 催: | 東北大学多元物質科学研究所 | | 共 催: | 東北大学/資源・素材学会東北支部/日本金属学会東北支部/日本鉄鋼協会東北支部 |
| プログラム(敬省略)
11月18日(水) | | 13:00～13:10 | 所長挨拶 | | 齋藤 文良(東北大学 多元研) | | 13:10～14:00 | パワーデバイス向けSiC単結晶基板の開発 | | 星野 泰三(新日本製鐵株式会社) | | 14:00～14:50 | SiCの基礎的性質と成長法 | | 播磨 弘(京都工芸繊維大学 基盤科学部門) | | 14:50～15:40 | 熱力学解析による化合物半導体の気相成長 | | 纐纈 明伯(東京農工大学 工学府) | | 15:40～16:00 | 休憩 |
| | 16:00～16:50 | 窒化物半導体の有機金属気相成長 | | 松岡 隆志(東北大学 金属材料研究所) | | 16:50～17:40 | 窒化アルミニム(AlN)単結晶の合成 | | 福山 博之(東北大学 多元研) | | 18:00 | 懇親会 |
| | 11月19日(木) | | 9:00～9:50 | 高品位ZnO単結晶のCVT成長 | | 一色 実(東北大学 多元研) | | 9:50～10:40 | 極性制御ZnO薄膜の成長とその応用 | | 八百 隆文(東北大学 学際科学国際高等研究センター) | | 10:40～11:30 | シリサイド半導体を用いたSi薄膜結晶太陽電池を目指して | | 末益 崇(筑波大学 物理工学系) | | 11:30～12:20 | チョクラルスキー法によるサファイア結晶成長 | | 飯野 貴幸(住友金属鉱山株式会社) | | 12:20～12:30 | 閉会の挨拶 | | 一色 実(東北大学 多元研) |
| | 参加費: | 一般2,000円 , 学生無料 | | 懇親会費: | 一般3,000円 , 学生1,000円 | | 申込締切日: | 11月10日(火) | | 参加方法: | 参加ご希望の方は、下記問い合わせ先に、メールまたはFAXで「所属・役職・氏名・住所・Tel&Fax・Eメール・懇親会ご出席の有無」をお知らせください。
(ホームページより参加申込書をダウンロードできます) |
問合せ先:
〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
東北大学 多元物質科学研究所 福山博之(秘書:佐々木美和)
電話&FAX:022-217-5178 E-Mail : miwas@tagen.tohoku.ac.jp |
|
