| 開催日時： | 2011年11月18日（金） 9:00～17:00 |
| 開催場所： | （財）大阪科学技術センター 4階403号室 （大阪市西区靱本町1-8-4） |
| プログラム： |
| 9:00～10:30 | 【講義】 拡散基礎（大阪大学・中嶋先生） |
| 10:40～12:10 | 【講義】半導体中の拡散（慶応義塾大学・植松先生） |
| 13:10～14:40 | 【講義】 合金中の相互拡散と反応拡散（大阪大学・南埜先生） |
| 14:50～16:20 | 【講義】 データベースの利用（物質・材料研究機構・松尾先生、山崎先生） |
| 16:30～17:00 | 総合討論・技術相談など |
| 講 師： | 中嶋 英雄 教授（大阪大学産業科学研究所）、植松 真司 特任教授（慶應義塾大学理工学研究科）、南埜 宜俊 教授（大阪大学工学研究科）、松尾 宗次 氏（（独）物質・材料研究機構（NIMS））、山崎 正義 先生（（独）物質・材料研究機構（NIMS）） |
| 募集人員： | 30名 |
| 参加費用： | 会員20,000円、非会員30,000円、学生2,000円 （テキスト代・消費税込み） |
| 内 容： | 工業生産分野における合金の熱処理、相変態、酸化、クリープ、焼結、拡散接合などの技術や現象で重要な役割を果たす材料中の拡散現象について、拡散のマクロ的取り扱い（現象論）、拡散の原子論的（ミクロ的）取り扱い、種々の拡散機構、相関効果、侵入型拡散、自己拡散および置換型不純物拡散、金属・合金における拡散など、拡散現象を理解する上で重要な基礎的な講義を踏まえて、工業的に重要な合金中の相互拡散と反応拡散、そしてシリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）の半導体中の特異な点欠陥と拡散機構について、共通点と相違点に着目しながら概説を行います。加えて、現在、物質・材料の研究開発と利用に寄与するべく物質・材料に関連するデータベースが構築されており、国内外の研究者、技術者、その他物質や材料関連の業務に携わる方々へデータベースが公開されております。本セミナーでは、特に、物質・材料の各種現象の理解の基本となる拡散データベースの紹介と利用を中心に、関連する特性に関するデータベースを含めて、（独）物質・材料研究機構(NIMS)により構築された物質・材料データベースを紹介します。 |
